氮化铝陶瓷基板垫片的优点

氮化铝陶瓷基板垫片是一种兼具导热散热、绝缘隔离、应力缓冲和精密支撑功能的高端工业陶瓷基础件,比普通氧化铝陶瓷垫片和金属垫片,氮化铝陶瓷在高导热与电绝缘同步、热尺寸稳定和芯片热匹配方面优势非常突出。其导热率通常可达 170–230 W/m·K,远高于普通氧化铝陶瓷。

描述

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氮化铝陶瓷基板垫片的优点

氮化铝陶瓷基板垫片最大的优势首先在于高导热与高绝缘并存。在功率器件和电子模块中,垫片既要快速把芯片或热源的热量传导出去,又必须保持可靠电气隔离。普通金属垫片虽然导热快,但存在导电风险;普通氧化铝虽然绝缘好,但散热效率有限。氮化铝能够同时满足这两项关键需求,可显著降低器件结温,提高系统稳定性和寿命。它具备非常优秀的低热膨胀与热循环稳定性。

  • 高导热率
  • 高电绝缘
  • 低热膨胀
  • 热循环稳定
  • 平面度高
  • 高洁净无污染

氮化铝陶瓷的应用

氮化铝(AlN)陶瓷具有高导热性和电绝缘性,因此可用于各种电子器件。氮化铝的导热系数大于170W/(mk),具有良好的抗热震性,可在2200℃的高温环境下使用。因此,氮化铝陶瓷制品是众多行业的理想选择,如:

  • 散热器和散热器
  • 电子封装基板
  • 微电子器件和光电器件的基板和绝缘体
  • 激光热管理组件
  • 电绝缘体
  • 熔融金属夹具

氮化铝陶瓷的基本特性

氮化铝(AlN)是一种共价键化合物,原子晶体,类金刚石氮化物,六方晶系,纤锌矿晶体结构,无毒,白色或灰白色。

  • 热导率高(>170W/m·K),接近BeO和SiC,是Al2O3的5倍以上;
  • 热膨胀系数与Si和GaAs匹配;
  • 各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;
  • 机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常压烧结;
  • 可采用流延工艺制作,是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。

氮化铝陶瓷供应商

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