氮化铝陶瓷核心特点
技术参数
| 参数 | 数值 |
| 化学式 | AlN |
| 晶体结构 | 六方晶系（纤锌矿型） |
| 密度 | ≈3.26 g/cm³ |
| 熔点 | 3000 °C |
| 导热系数 | ≈170–230 W/(m·K) |
| 相对介电常数 | ≈8.5 |
| 热膨胀系数 | 4.5×10^-6 /K |
| 体电阻率 | >10^13 Ω·cm |
应用领域
产品优势对比
- 金属/不锈钢：传统金属（如铜、不锈钢）导热率虽高，但为导电材料且密度大，不适合用作绝缘散热部件。氮化铝导热率约170–230 W/(m·K)，虽低于铜（≈400 W/(m·K)），但具有高电阻、低密度（3.26 g/cm³）优势，是高效散热的理想绝缘替代材料。
- 氧化铝陶瓷：常见α-Al₂O₃陶瓷耐磨且绝缘，但导热率仅约20–30 W/(m·K)。相比之下，氮化铝导热率高出5–10倍，可显著提升电子器件的散热性能。
- 氧化锆陶瓷：ZrO₂陶瓷韧性优异，但导热率极低（约2–3 W/(m·K)）且密度大（≈6.0 g/cm³）。氮化铝则兼具较高导热和绝缘性，且密度仅为氧化锆约一半，提高了材料的散热效率和可靠性。
- 为什么选择我们：致好陶瓷拥有多年精密陶瓷研发和制造经验，生产流程和质量控制严格稳定。公司产品通过ISO9001质量认证，提供多种规格的氮化铝陶瓷基板，可根据客户需求定制尺寸和表面处理，是您可靠的合作伙伴。
氮化铝陶瓷与氮化硼陶瓷的区别
性能对比表
| 性能指标 | 氮化铝陶瓷（AlN） | 氮化硼陶瓷（BN） |
| 化学式 | AlN | BN |
| 晶体结构 | 六方晶格 | c-BN（立方）、h-BN（六方） |
| 热导率 | 170–200 W/m·K | 30–200 W/m·K |
| 电学性能 | 绝缘性优异 | h-BN绝缘，c-BN局部半导体特性 |
| 硬度与强度 | 中等，韧性较好 | c-BN超硬，h-BN较软易加工 |
| 耐温性能 | 高温下稳定性有限 | h-BN耐高温、抗氧化性强 |
| 典型形态 | 陶瓷基板、陶瓷片 | 粉体、块体、刀具、涂层 |
| 成本 | 中等 | 根据晶型差异差别大 |
氮化铝陶瓷（AlN）与氮化硼陶瓷（BN）同为高性能无机非金属材料，但性能和应用各有侧重。氮化铝化学式为 AlN，晶体结构稳定，最大特点是高导热性（170–200 W/m·K）与优异的电绝缘性，并且热膨胀系数与硅芯片接近，因此广泛用于功率电子模块、LED散热基板及新能源电控系统，是电子行业的重要散热和绝缘材料。氮化硼则分为立方氮化硼（c-BN）和六方氮化硼（h-BN）。c-BN硬度仅次于金刚石，耐磨性极强，常用于切削刀具和耐磨涂层；h-BN结构类似石墨，具有良好的绝缘性、润滑性和耐高温性能，可在氧化气氛下长期工作，适合作高温润滑剂、隔热件及航天器防护材料。相比之下，氮化铝陶瓷以高导热、强绝缘著称，适合电子封装和散热场景；氮化硼陶瓷则因晶型不同，既能充当超硬耐磨材料，又能作为高温绝缘润滑材料。因此，两者在现代工业中呈现互补关系：前者聚焦电子热管理，后者更多服务于极端环境和机械加工领域。
生产工艺与质量控制
致好陶瓷采用成熟的制备工艺生产氮化铝陶瓷基板：高纯AlN粉末与少量烧结助剂均匀混合后，经等静压成型制坯；随后在氮气或惰性气氛下烧结、热等静压，使坯体致密化。烧结后对坯体进行精密机械加工和表面抛光。生产过程中实施全面的尺寸和性能检测，包括尺寸测量、导热率、电阻率等测试，确保每批产品性能稳定可靠。我们拥有完善的质量体系和检测标准，为客户提供高品质、低失效率的氮化铝陶瓷产品。
关于我们
深圳市致好精密陶瓷有限公司是一家专业的先进陶瓷材料制造商，专注于高性能无机非金属材料的研发与生产。公司拥有多年的陶瓷研发经验和完善的生产体系，具备精密陶瓷成型、烧结、机械加工等全流程能力。我们拥有多项陶瓷材料发明专利，并通过ISO9001等质量管理体系认证，产品广泛应用于电子、半导体、航空航天、能源等领域。致好陶瓷致力于为客户提供可靠的陶瓷解决方案，以卓越的产品和服务赢得市场信任。
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