氮化硼是一种以硼和氮元素组成的共价化合物。根据晶体结构不同，可分为六方氮化硼（h-BN）、立方氮化硼（c-BN）和无定形氮化硼等多种形态。其中，六方氮化硼（h-BN）因其层状结构、优良的润滑性与绝缘性，被广泛用于制备高性能陶瓷坩埚。

BN 的晶体结构类似石墨，因此又被称为“白色石墨”。它兼具高导热与高绝缘的双重特性，是极少数能够在高温下同时保持热稳定和电绝缘的材料之一。这一特性，使其成为高纯金属与化合物熔炼过程中的理想坩埚材料。

这些性能使氮化硼坩埚在高温、高真空及腐蚀性气氛中仍能保持极高稳定性，尤其适用于对材料纯度要求极高的场合，如半导体晶体生长与金属化蒸发。

Great Ceramic 选用高纯度氮化硼粉末（纯度≥99.9%），并根据不同应用需求添加少量粘结相（如氧化铝或氮化硅），以增强烧结致密度与力学性能。

采用 冷等静压（CIP）成型 或 热压烧结（HP）工艺。

• CIP 成型 适合大尺寸坩埚，保证尺寸精度与结构均匀性；

• 热压烧结工艺 则可获得致密度更高、导热性更优的坩埚结构。

氮化硼陶瓷的烧结温度通常在 1800～2000℃。
Great Ceramic 在真空与惰性气体环境中进行控制烧结，最大限度减少氧化与杂质引入。
最终通过 CNC 精密加工 实现高精度尺寸与光滑表面，以满足客户对密封性与装配精度的要求。

由此可见，氮化硼陶瓷坩埚在电绝缘、高纯熔炼和抗污染性方面的综合性能最为突出，是当前高科技行业的优选材料。

氮化硼陶瓷坩埚不仅是高温容器，更是高端制造体系中关键的功能部件。未来，其技术发展将呈现以下几个方向：

• 采用化学气相合成（CVD）与等离子体球化技术制备超细 BN 粉体；

• 晶粒尺寸控制在 0.5–1 μm，提高坩埚致密度与机械强度；

• 降低杂质离子（Na、Fe、Ca）含量，满足半导体级纯度要求。

• 引入 3D 打印+ 热等静压（HIP）技术，实现复杂异形坩埚的一体成型；

• 通过 CNC 精密加工 + 数字化检测，确保尺寸精度在 ±0.02 mm；

• 应用 AI 控制烧结曲线，实现工艺参数自动优化。

• 研发可再生 BN 坩埚再烧结技术；

• 回收利用废旧坩埚粉体，降低制造能耗与碳排放；

• 推动“无污染—高纯度—可持续”的绿色陶瓷制造体系。

• 在化合物半导体（SiC、GaN）外延生长中，BN 坩埚将成为标准化组件；

• 在氢能与航天高温反应系统中，BN–Si₃N₄ 复合坩埚将成为核心结构材料；

• 未来 BN 坩埚有望向 功能集成化（导热+绝缘+屏蔽） 方向发展。

作为国内专业的先进陶瓷制造商，深圳致好陶瓷有限公司专注于高性能陶瓷材料的研发与定制，具备从原料制备、模具成型、烧结到精密加工的全流程技术体系。

我们的优势包括：

1. 高纯原料控制：采用进口BN粉末，纯度≥99.9%，杂质离子含量严格控制在ppm级。

2. 多工艺成型体系：可根据客户需求提供CIP、HP或HIP成型工艺。

3. 精密加工能力：公差可控制在±0.02mm，表面光洁度达Ra0.2。

4. 定制设计服务：支持不同尺寸、结构与用途的坩埚定制（圆形、方形、锥形、多腔型等）。

5. 严格质量检测：每批次产品均经过密度、导热率、显微结构与纯度测试，确保批次一致性。

选择BN坩埚，不仅是为了提升设备性能，更是为了降低生产风险与提高材料纯度。
对于高端应用领域（如半导体制造、稀土金属提纯、PVD镀膜系统等），材料的每一次反应都会带来成本损失与质量不稳定。

氮化硼陶瓷坩埚的价值体现在：

• 保证高纯度生产环境，无金属污染

• 延长坩埚寿命，减少更换频率

• 提高工艺稳定性与产品良率

• 兼具轻量、高强度与可机加工性

致好陶瓷的氮化硼坩埚已在多个行业获得客户验证：

• 半导体行业：与多家晶体生长设备厂合作，为GaN、SiC晶体提供BN坩埚组件；

• 光学镀膜行业：用于蒸发源容器，稳定输出金属薄膜；

• 科研机构与高校：长期供货至材料实验室，用于高温反应及复合材料制备实验。

客户反馈表明，BN坩埚在耐用性与纯度方面显著优于传统氧化铝产品，使用寿命延长30%～50%。

氮化硼陶瓷坩埚不仅仅是一种高温容器，更是支撑高端制造体系的重要基础材料。
其在高温绝缘、抗反应、高纯环境中的独特性能，使其成为高科技制造不可替代的关键组件。

致好陶瓷致力于为全球客户提供可靠的先进陶瓷解决方案，从研发到量产，全程以“精密制造、品质为本”为核心理念。
选择氮化硼陶瓷坩埚，选择 稳定、高纯与技术领先的未来。